TaN/NiCr

Resistor layer

Sputter

5Ω/□～200Ω/□；Temperature Coefficient：-20±60ppm（-50~150℃）

TiW

adhesive/barrier layer

Sputter

20nm～80nm

Ti

adhesive layer

Sputter

20nm～80nm

Cr

adhesive layer

Sputter

20nm～80nm

Pt

barrier  layer

Sputter

20nm～100nm

Ni

barrier  layer

Sputter or plate

Sputter：0.1μm～1μm   plate： 0.5μm～10μm

Cu

conductor layer

Sputter or plate

Sputter：0.1μm～5μm    plate： 1μm～10μm

Au

conductor layer

Sputter or plate

Sputter：0.05μm～0.2μm    plate： 0.3μm～10μm