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陶瓷基片上金屬化能力

金屬膜層

功能

制作方法

典型厚度範圍

TaN/NiCr

電(diàn)阻層

Sputter

5Ω/□~200Ω/□;溫度系數:-20±60ppm(-50~150

TiW

黏附層/阻擋層

Sputter

20nm~80nm

Ti

黏附層

Sputter

20nm~80nm

Cr

黏附層

Sputter

20nm~80nm

Pt

阻擋層

Sputter

20nm~100nm

Ni

阻擋層

Sputter or plate

Sputter:0.1μm~1μm plate: 0.5μm~10μm

Cu

導體(tǐ)

Sputter or plate

Sputter:0.1μm~5μm plate: 1μm~10μm

Au

導體(tǐ)

Sputter or plate

Sputter:0.05μm~0.2μm plate: 0.3μm~10μm

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